开关电源EMI超标，高频走线是重灾区！这样走噪声降 15dB

核心问题

1. MOS 管 D/S 极走线过长，di/dt 辐射超强

    

   MOS 管 D 极→变压器初级、S 极→输入电容走线长＞2cm、窄＜0.3mm；开关瞬间di/dt＞100A/μs，强磁场辐射，30~100MHz 超标最严重。
2. 二极管走线长 + 过孔多，反向恢复噪声放大

    

   次级整流二极管、续流二极管走线长＞1.5cm、过孔≥2 个；反向恢复电流振荡，高频噪声（100MHz~1GHz）超标。
3. 高频走线跨分割地，阻抗不连续，噪声反射增强

    

   高频走线跨功率地与信号地分割缝；阻抗突变，噪声反射叠加，辐射强度翻倍。
4. 反馈走线靠近高频线，噪声耦合，EMI + 稳定性双差

    

   光耦、TL431 反馈线平行靠近 MOS / 变压器高频线；噪声耦合进反馈，EMI 超标 + 电源纹波大、不稳。

解决方案

1. MOS 管高频走线：短、粗、直、无过孔，长度≤1cm

    

   D 极→变压器初级、S 极→输入电容铜皮≥1mm 宽、长度≤1cm、无过孔、无拐角；MOS 管紧贴变压器与输入电容，di/dt 辐射降 10~12dB。
2. 二极管走线：就近铺铜，无过孔，长度≤0.8cm

    

   次级二极管阴极直接铺铜接输出电容 + 变压器次级，阳极铺铜接 PGND；无过孔、短直走线，反向恢复噪声降 6~8dB。
3. 高频走线走完整地平面上方，不跨分割缝

    

   MOS、变压器、二极管高频走线全程在 PGND 完整铺铜上方；不跨地分割线，阻抗连续，噪声反射最小化。
4. 反馈走线远离高频区，平行隔离≥3mm，走信号地

    

   光耦、TL431、反馈电阻远离 MOS / 变压器≥3mm；走线走 SGND 上方，与高频线垂直交叉，不平行；噪声耦合降 8~10dB，EMI 与稳定性双达标。

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