开关电源EMI整改，变压器布局与屏蔽是关键！漏磁辐射占大头

核心问题

1. 开口磁芯（EI/UI）漏磁大，直接辐射空间

    

   变压器用EI/UI 开口磁芯，无屏蔽；漏磁辐射强，正对 PCB 时，50~200MHz 频段超标最明显。
2. 变压器靠近控制芯片 / 光耦，漏磁耦合进弱电电路

    

   变压器距光耦、TL431、PWM 芯片＜2mm；漏磁耦合进反馈与控制电路，共模噪声放大，辐射超标 + 电源不稳。
3. 初 / 次级接线长、绕线松散，寄生电感大，噪声增强

    

   初 / 次级引线长＞1.5cm、绕线松散；寄生电感大，开关尖峰电压高，漏磁辐射增强。
4. 无屏蔽或屏蔽接地不良，漏磁无法有效抑制

    

   变压器外包铜箔但未闭环、未接地；或屏蔽接 PGND/SGND；漏磁无法泄放，屏蔽无效。

解决方案

1. 优选封闭磁芯：环形 / EE 磁芯，漏磁比 EI 小 50%

    

   中小功率电源（＜150W）选环形磁芯，大功率选EE 封闭磁芯；漏磁比 EI 开口磁芯降 8~10dB。
2. 变压器 PCB 边缘放置，远离敏感区≥3mm

    

   变压器放在 PCB 最边缘角落，远离光耦、TL431、PWM 芯片≥3mm；漏磁不耦合进弱电电路，共模噪声降 6~8dB。
3. 初 / 次级接线短直、紧密绕制，减少寄生电感

    

   初级引线 **≤1cm、短直粗线 **；次级双线并绕、紧密绕制；寄生电感最小化，开关尖峰降低，漏磁减少。
4. 铜箔屏蔽闭环 + 接 FGND，漏磁彻底抑制

    

   变压器外包0.5mm 铜箔，首尾重叠≥5mm 形成闭环；屏蔽层单端接 FGND（保护地）；漏磁被屏蔽吸收，辐射降 10~12dB。